FF6MR12KM1PHOSA1

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) FF6MR12KM1PHOSA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	CoolSiC™
Balík	Tray
Stav součásti	Active
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.81mOhm @ 250A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.15V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	496nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	14700pF @ 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Chassis Mount
Balení / pouzdro	Module
Balíček zařízení dodavatele	AG-62MM

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	FF6MR12KM1PHOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF6MR12KM1BOSA1 IR (Infineon Technologies)
	FF6MR12W2M1B11BOMA1 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.