NTB18N06G

POZNÁMKA: Rochester Electronics NTB18N06G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	15A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	450 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	48.4W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D2PAK
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 1600

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	NTB18N06G Rochester Electronics
	NTB125N02RT4 Rochester Electronics
	NTB13N10 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTB10N40 Rochester Electronics
	NTB10N60 Rochester Electronics
	NTB18N06T4 Rochester Electronics
	NTB12N50T4 Rochester Electronics
	NTB125N02RT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTB150N65S3HF Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTB12N50 Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.