FQI7N10TU

Číslo dílu výrobce:	FQI7N10TU
Výrobce:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Část popisu:	MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Datové listy:	FQI7N10TU Datové listy
Stav bez olova / stav RoHS:	Bezolovnatý / V souladu s RoHS
Stav skladu:	Na skladě
Odesílat od:	Hong Kong
Způsob přepravy:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

POZNÁMKA: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQI7N10TU je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	QFET®
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	7.3A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	250 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	3.75W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	I2PAK (TO-262)
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	FQI7N10TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI7N80TU Rochester Electronics
	FQI7P06TU Rochester Electronics
	FQI7N10LTU Rochester Electronics
	FQI7N60TU Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.