IPB03N03LB G

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) IPB03N03LB G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	OptiMOS™
Balík	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	80A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	7624 pF @ 15 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	150W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D²PAK (TO-263AB)
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 926

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IPB042N10N3GE8187ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB050N06NGATMA1 Rochester Electronics
	IPB03N03LB G IR (Infineon Technologies)
	IPB09N03LA G IR (Infineon Technologies)
	IPB015N08N5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB011N04NGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB067N08N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB03N03LAG Rochester Electronics
	IPB072N15N3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB09N03LAT IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.