IPI023NE7N3 G

POZNÁMKA: Rochester Electronics IPI023NE7N3 G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	OptiMOS™
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	120A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (max.)	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	14.4 pF @ 37.5 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	PG-TO262-3
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 1500

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IPI034NE7N3 G IR (Infineon Technologies)
	IPI023NE7N3 G Rochester Electronics
	IPI037N08N3GHKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI076N15N5AKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI084N06L3GXKSA1 Rochester Electronics
	IPI041N12N3GAKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI052NE7N3 G IR (Infineon Technologies)
	IPI020N06NAKSA1 Rochester Electronics
	IPI086N10N3GXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI045N10N3GXK IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.