BSZ042N04NSG

POZNÁMKA: Rochester Electronics BSZ042N04NSG je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	OptiMOS™ 3
Balík	Bulk
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	40A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	3700 pF @ 20 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	TO-220AB
Balení / pouzdro	TO-220-3

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 47574

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	BSZ036NE2LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0901NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ031NE2LS5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0589NSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ042N04NSG Rochester Electronics
	BSZ018NE2LSIATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ097N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ0803LSATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ021N04LS6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ040N04LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.