G2R1000MT17J

POZNÁMKA: GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	G2R™
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	3A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	+20V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	139 pF @ 1000 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	54W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	TO-263-7
Balení / pouzdro	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 6

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.