MTB30P06VT4G

POZNÁMKA: Rochester Electronics MTB30P06VT4G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Bulk
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	30A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2.19 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D2PAK
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 11342

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	MTB30P06VT4 Rochester Electronics
	MTB30P06VT4G Rochester Electronics
	MTB30P06V Rochester Electronics
	MTB3N60ET4 Rochester Electronics
	MTB3N60E Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.