STB13NM50N-1

POZNÁMKA: STMicroelectronics STB13NM50N-1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	MDmesh™ II
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	12A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	960 pF @ 50 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	100W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	I2PAK
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	STB18NM60ND STMicroelectronics
	STB11N65M5 STMicroelectronics
	STB120NF10T4 STMicroelectronics
	STB14N80K5 STMicroelectronics
	STB18NM60N STMicroelectronics
	STB18N60DM2 STMicroelectronics
	STB13NM50N-1 STMicroelectronics
	STB10LN80K5 STMicroelectronics
	STB18N55M5 STMicroelectronics
	STB11N52K3 STMicroelectronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.