NIF9N05CLT3

POZNÁMKA: Rochester Electronics NIF9N05CLT3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Bulk
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	52 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	2.6A (Ta)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	250 pF @ 35 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	1.69W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	SOT-223
Balení / pouzdro	TO-261-4, TO-261AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 7319

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	NIF9N05CLT1 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NIF9N05CLT3 Rochester Electronics
	NIF9N05CLT3G Rochester Electronics
	NIF9N05CLT3G-SY Rochester Electronics
	NIF9N05CLT1G Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.