Rectron USA / RM21N650T2
Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
RM21N650T2
| Číslo dílu výrobce: | RM21N650T2 |
| Výrobce: | Rectron USA |
| Část popisu: | MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3 |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
| Stav skladu: | Na skladě |
| Odesílat od: | Hong Kong |
| Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- Rectron USA RM21N650T2 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.
Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.
Specifikace
| Typ | Popis |
|---|---|
| Série | - |
| Balík | Tube |
| Stav součásti | Active |
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 21A (Tc) |
| Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | ±30V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 188W (Tc) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balíček zařízení dodavatele | TO-220-3 |
| Balení / pouzdro | TO-220-3 |
Stav skladu: Odeslání ve stejný den
Minimální: 1
| Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
|---|---|---|
Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
||
Kalkulace přepravného
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť
Populární modely
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
Přidáno do košíku!
Tato položka byla přidána do vašeho košíku.