IPB65R660CFDATMA1

POZNÁMKA: Rochester Electronics IPB65R660CFDATMA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	CoolMOS™
Balík	Bulk
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	6A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	615 pF @ 100 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	62.5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D²PAK (TO-263AB)
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IPB60R120C7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB60R380C6ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB60R180C7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB65R190CFDATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB65R150CFDATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB65R045C7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB60R170CFD7ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB60R190P6ATMA1 Rochester Electronics
	IPB60R600CPATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IPB65R660CFDATMA1 Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.