IPI110N20N3GAKSA1

POZNÁMKA: Rochester Electronics IPI110N20N3GAKSA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	OptiMOS™
Balík	Bulk
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	88A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	7.1 pF @ 100 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	PG-TO262-3
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 11795

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IPI139N08N3GHKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IPI120N06S403AKSA1 Rochester Electronics
	IPI110N20N3GAKSA1 Rochester Electronics
	IPI100N06S3L04XK IR (Infineon Technologies)
	IPI16CNE8N G IR (Infineon Technologies)
	IPI100N04S4H2AKSA1 Rochester Electronics
	IPI120N06S4H1AKSA2 IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-04 IR (Infineon Technologies)
	IPI11N03LA IR (Infineon Technologies)
	IPI100N06S3-03 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.