SIHB23N60E-GE3

POZNÁMKA: Vishay / Siliconix SIHB23N60E-GE3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	23A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	158mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2418 pF @ 100 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	227W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D²PAK (TO-263)
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 1030

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.