PHD18NQ10T,118

POZNÁMKA: NXP Semiconductors PHD18NQ10T,118 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	TrenchMOS™
Balík	Tape & Reel (TR)
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	18A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	633 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	79W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	DPAK
Balení / pouzdro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	PHD110NQ03LT,118 NXP Semiconductors
	PHD18NQ10T,118 NXP Semiconductors
	PHD14NQ20T,118 NXP Semiconductors
	PHD108NQ03LT,118 Rochester Electronics
	PHD16N03T,118 NXP Semiconductors
	PHD101NQ03LT,118 Rochester Electronics
	PHD16N03LT,118 NXP Semiconductors

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.