NVB6413ANT4G

POZNÁMKA: Rochester Electronics NVB6413ANT4G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Bulk
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	42A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 42A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1.8 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D2PAK-3
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	NVB60N06T4G Rochester Electronics
	NVB6412ANT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NVB6413ANT4G Rochester Electronics
	NVB6411ANT4G Rochester Electronics
	NVB6410ANT4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.