BSZ105N04NSGATMA1

POZNÁMKA: Rochester Electronics BSZ105N04NSGATMA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	OptiMOS™
Balík	Bulk
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1.3 pF @ 20 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	PG-TSDSON-8
Balení / pouzdro	8-PowerTDFN

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.