Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
Číslo dílu výrobce: | SISH108DN-T1-GE3 |
Výrobce: | Vishay / Siliconix |
Část popisu: | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
Stav skladu: | Na skladě |
Odesílat od: | Hong Kong |
Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Popis |
---|---|
Série | TrenchFET® Gen II |
Balík | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stav součásti | Active |
Typ FET | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 14A (Ta) |
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs (max.) | ±16V |
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
Funkce FET | - |
Ztrátový výkon (max.) | 1.5W (Ta) |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže | Surface Mount |
Balíček zařízení dodavatele | PowerPAK® 1212-8SH |
Balení / pouzdro | PowerPAK® 1212-8SH |
Stav skladu: 6000
Minimální: 1
Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
---|---|---|
![]() Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť