FQI11P06TU

POZNÁMKA: Rochester Electronics FQI11P06TU je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	QFET®
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	11.4A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	550 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	3.13W (Ta), 53W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	I2PAK (TO-262)
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 5955

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	FQI12N60CTU Rochester Electronics
	FQI10N60CTU Rochester Electronics
	FQI10N20CTU Rochester Electronics
	FQI19N20CTU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI13N50CTU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI17P10TU Rochester Electronics
	FQI17P06TU Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQI16N25CTU Rochester Electronics
	FQI11P06TU Rochester Electronics
	FQI15P12TU Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.