FQB8N90CTM

POZNÁMKA: Rochester Electronics FQB8N90CTM je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	QFET®
Balík	Bulk
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	6.3A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2.08 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	171W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D²PAK (TO-263AB)
Balení / pouzdro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 298

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	FQB8N60CTM-WS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQB85N06TM Rochester Electronics
	FQB8P10TM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQB8N90CTM Rochester Electronics
	FQB8N60CTM Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQB85N06TM_AM002 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FQB8N25TM Rochester Electronics
	FQB8N60CFTM Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.