NTD12N10-1G

POZNÁMKA: Rochester Electronics NTD12N10-1G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	12A (Ta)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	550 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	I-PAK
Balení / pouzdro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	NTD110N02RST4G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD18N06T4G Rochester Electronics
	NTD110N02R-001 Rochester Electronics
	NTD18N06-1G Rochester Electronics
	NTD15N06L-1G Rochester Electronics
	NTD15N06-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD15N06L-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD14N03R-001 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	NTD18N06LG Rochester Electronics
	NTD12N10-1G Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.