FDFMA3P029Z

POZNÁMKA: Rochester Electronics FDFMA3P029Z je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	PowerTrench®
Balík	Bulk
Stav součásti	Active
Typ FET	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	3.3A (Ta)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max.)	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	435 pF @ 15 V
Funkce FET	Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)	1.4W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	6-MicroFET (2x2)
Balení / pouzdro	6-VDFN Exposed Pad

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 3521

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	FDFME2P823ZT Rochester Electronics
	FDFMA2N028Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFM2N111 Rochester Electronics
	FDFMA3P029Z Rochester Electronics
	FDFMJ2P023Z Rochester Electronics
	FDFMA2P859T Rochester Electronics
	FDFME3N311ZT Rochester Electronics
	FDFMA2P029Z Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P029Z-F106 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDFMA2P853 Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.