FDI33N25TU

POZNÁMKA: Rochester Electronics FDI33N25TU je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	UniFET™
Balík	Tube
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	33A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2.135 pF @ 25 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	235W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	I2PAK (TO-262)
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 617

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	FDI3632 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDI33N25TU Rochester Electronics
	FDI3652 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.