BSF083N03LQ G

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) BSF083N03LQ G je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	OptiMOS™
Balík	Tape & Reel (TR)
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	13A (Ta), 53A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1800 pF @ 15 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	2.2W (Ta), 36W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Balení / pouzdro	3-WDSON

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	BSF035NE2LQXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF077N06NT3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF045N03MQ3 G IR (Infineon Technologies)
	BSF053N03LT G IR (Infineon Technologies)
	BSF083N03LQ G IR (Infineon Technologies)
	BSF030NE2LQXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF024N03LT3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF050N03LQ3GXUMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSF083N03LQG Rochester Electronics
	BSF050N03LQ3G Rochester Electronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.