SCT20N120

POZNÁMKA: STMicroelectronics SCT20N120 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	20A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	650 pF @ 400 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	175W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	HiP247™
Balení / pouzdro	TO-247-3

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 451

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	SCT2120AFC ROHM Semiconductor
	SCT2280KEC ROHM Semiconductor
	SCT2080KEHRC11 ROHM Semiconductor
	SCT2450KEC ROHM Semiconductor
	SCT20N120AG STMicroelectronics
	SCT2H12NYTB ROHM Semiconductor
	SCT2H12NZGC11 ROHM Semiconductor
	SCT2750NYTB ROHM Semiconductor
	SCT20N120 STMicroelectronics
	SCT20N120H STMicroelectronics

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.