SIDR668ADP-T1-RE3

POZNÁMKA: Vishay / Siliconix SIDR668ADP-T1-RE3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	TrenchFET® Gen IV
Balík	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	23.3A (Ta), 104A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	3750 pF @ 50 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	PowerPAK® SO-8DC
Balení / pouzdro	PowerPAK® SO-8

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 5626

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
	SIDR680DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIDR392DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIDR390DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIDR402DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIDR170DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
	SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
	SIDR610DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIDR668DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
	SIDR622DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.