GA20JT12-263

POZNÁMKA: GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ FET	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	45A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	3091 pF @ 800 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	282W (Tc)
Provozní teplota	175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	D2PAK (7-Lead)
Balení / pouzdro	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 134

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.