IMBG120R030M1HXTMA1

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) IMBG120R030M1HXTMA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	CoolSiC™
Balík	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1.2 kV
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	56A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 11.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+18V, -15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	2.29 nF @ 800 V
Funkce FET	Standard
Ztrátový výkon (max.)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	PG-TO263-7-12
Balení / pouzdro	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IMBG120R140M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R220M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R045M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R090M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R030M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R350M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)
	IMBG120R060M1HXTMA1 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.