IMW120R220M1HXKSA1

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) IMW120R220M1HXKSA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	CoolSiC™
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1.2 kV
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	13A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	286mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	289 pF @ 800 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	75W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	PG-TO247-3-41
Balení / pouzdro	TO-247-3

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 696

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IMW120R350M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R030M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R045M1XKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R060M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R090M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R220M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)
	IMW120R140M1HXKSA1 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.