SI4712DY-T1-GE3

POZNÁMKA: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	SkyFET®, TrenchFET®
Balík	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav součásti	Obsolete
Typ FET	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	14.6A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	1084 pF @ 15 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	8-SO
Balení / pouzdro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: Odeslání ve stejný den

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.