IGT60R070D1ATMA1

POZNÁMKA: IR (Infineon Technologies) IGT60R070D1ATMA1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	CoolGaN™
Balík	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	31A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max.)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	380 pF @ 400 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele	PG-HSOF-8-3
Balení / pouzdro	8-PowerSFN

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 3726

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	IGT60R190D1SATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IGT60R070D1ATMA1 IR (Infineon Technologies)

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.