RGT8NS65DGC9

POZNÁMKA: ROHM Semiconductor RGT8NS65DGC9 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ IGBT	Trench Field Stop
Napětí - porucha vysílače kolektoru (max.)	650 V
Proud - sběratel (Ic) (max.)	8 A
Proud - kolektor pulzní (Icm)	12 A
Vce (zapnuto) (max.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Výkon - max	65 W
Přepínání energie	-
Typ vstupu	Standard
Brána	13.5 nC
Td (zap / vyp) při 25 ° C	17ns/69ns
Stav testu	400V, 4A, 50Ohm, 15V
Doba zpětného zotavení (trr)	40 ns
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balení / pouzdro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Balíček zařízení dodavatele	TO-262

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 1000

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	RGT8TM65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
	RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
	RGT8NS65DGTL ROHM Semiconductor
	RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor
	RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.