1N5818 TR TIN/LEAD

POZNÁMKA: Central Semiconductor 1N5818 TR TIN/LEAD je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Tape & Reel (TR)
Stav součásti	Active
Typ diody	Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (max.)	30 V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If	550 mV @ 1 A
Rychlost	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	-
Aktuální - zpětný únik @ Vr	1 mA @ 30 V
Kapacita @ Vr, F	-
Typ montáže	Through Hole
Balení / pouzdro	DO-204AL, DO-41, Axial
Balíček zařízení dodavatele	DO-41
Provozní teplota - spojení	-65°C ~ 150°C

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 30000

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	1N5822RLG Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	1N5822-TP Micro Commercial Components (MCC)
	1N5817-E3/54 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N5822/54 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N5819RL Rochester Electronics
	1N5821-B Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
	1N5819-T Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
	1N5819/54 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N5818/54 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	1N5822US Roving Networks / Microchip Technology

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.