SI3900DV-T1-E3

POZNÁMKA: Vishay / Siliconix SI3900DV-T1-E3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	TrenchFET®
Balík	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stav součásti	Active
Typ FET	2 N-Channel (Dual)
Funkce FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	-
Výkon - max	830mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	Surface Mount
Balení / pouzdro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele	6-TSOP

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 52428

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.