Vishay / Siliconix / SIR770DP-T1-GE3
Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
SIR770DP-T1-GE3
| Číslo dílu výrobce: | SIR770DP-T1-GE3 |
| Výrobce: | Vishay / Siliconix |
| Část popisu: | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| Datové listy: | SIR770DP-T1-GE3 Datové listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
| Stav skladu: | Na skladě |
| Odesílat od: | Hong Kong |
| Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- Vishay / Siliconix SIR770DP-T1-GE3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.
Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.
Specifikace
| Typ | Popis |
|---|---|
| Série | TrenchFET® |
| Balík | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stav součásti | Active |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funkce FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Výkon - max | 17.8W |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Balíček zařízení dodavatele | PowerPAK® SO-8 Dual |
Stav skladu: 2055
Minimální: 1
| Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
|---|---|---|
Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
||
Kalkulace přepravného
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť
Populární modely
 |
Vishay / Siliconix |
Přidáno do košíku!
Tato položka byla přidána do vašeho košíku.