BSM180D12P2C101

POZNÁMKA: ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	-
Balík	Bulk
Stav součásti	Active
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	23000pF @ 10V
Výkon - max	1130W
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže	-
Balení / pouzdro	Module
Balíček zařízení dodavatele	Module

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 9

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.