G3R20MT12K

POZNÁMKA: GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.

Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.

package

Specifikace

Typ	Popis
Série	G3R™
Balík	Tube
Stav součásti	Active
Typ FET	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C	128A (Tc)
Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 60A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	219 nC @ 15 V
Vgs (max.)	±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds	5873 pF @ 800 V
Funkce FET	-
Ztrátový výkon (max.)	542W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže	Through Hole
Balíček zařízení dodavatele	TO-247-4
Balení / pouzdro	TO-247-4

MOŽNOSTI NÁKUPU

Stav skladu: 143

Minimální: 1

Množství	Jednotková cena	Ext. Cena
Cena není k dispozici, prosím o RFQ

Kalkulace přepravného

40 USD od společnosti FedEx.

Příjezd za 3-5 dní

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť

Populární modely

	G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor
	G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor
	G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor
	G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor

Tato položka byla přidána do vašeho košíku.