Microsemi / 2N6766T1
Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
2N6766T1
| Číslo dílu výrobce: | 2N6766T1 |
| Výrobce: | Microsemi |
| Část popisu: | MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA |
| Datové listy: | 2N6766T1 Datové listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
| Stav skladu: | Na skladě |
| Odesílat od: | Hong Kong |
| Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- Microsemi 2N6766T1 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.
Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.
Specifikace
| Typ | Popis |
|---|---|
| Série | - |
| Balík | Bulk |
| Stav součásti | Obsolete |
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 30A (Tc) |
| Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Vgs (max.) | ±20V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Balíček zařízení dodavatele | TO-254AA |
| Balení / pouzdro | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Stav skladu: Odeslání ve stejný den
Minimální: 1
| Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
|---|---|---|
Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
||
Kalkulace přepravného
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť
Přidáno do košíku!
Tato položka byla přidána do vašeho košíku.