ROHM Semiconductor / BSM180C12P3C202
Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
BSM180C12P3C202
| Číslo dílu výrobce: | BSM180C12P3C202 |
| Výrobce: | ROHM Semiconductor |
| Část popisu: | SICFET N-CH 1200V 180A MODULE |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
| Stav skladu: | Na skladě |
| Odesílat od: | Hong Kong |
| Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- ROHM Semiconductor BSM180C12P3C202 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.
Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.
Specifikace
| Typ | Popis |
|---|---|
| Série | - |
| Balík | Bulk |
| Stav součásti | Active |
| Typ FET | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 180A (Tc) |
| Napětí pohonu (max. Zapnuto Rds, zapnuto min. Rds) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (max.) | +22V, -4V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | 9000 pF @ 10 V |
| Funkce FET | - |
| Ztrátový výkon (max.) | 880W (Tc) |
| Provozní teplota | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Chassis Mount |
| Balíček zařízení dodavatele | Module |
| Balení / pouzdro | Module |
Stav skladu: 2
Minimální: 1
| Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
|---|---|---|
Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
||
Kalkulace přepravného
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť
Populární modely
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
Přidáno do košíku!
Tato položka byla přidána do vašeho košíku.