GeneSiC Semiconductor / 1N3767R
Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
1N3767R
| Číslo dílu výrobce: | 1N3767R |
| Výrobce: | GeneSiC Semiconductor |
| Část popisu: | DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 |
| Datové listy: | 1N3767R Datové listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
| Stav skladu: | Na skladě |
| Odesílat od: | Hong Kong |
| Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- GeneSiC Semiconductor 1N3767R je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.
Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.
Specifikace
| Typ | Popis |
|---|---|
| Série | - |
| Balík | Bulk |
| Stav součásti | Active |
| Typ diody | Standard, Reverse Polarity |
| Napětí - DC reverzní (Vr) (max.) | 900 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Napětí - vpřed (Vf) (max.) @ If | 1.2 V @ 35 A |
| Rychlost | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Doba zpětného zotavení (trr) | - |
| Aktuální - zpětný únik @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Kapacita @ Vr, F | - |
| Typ montáže | Chassis, Stud Mount |
| Balení / pouzdro | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Balíček zařízení dodavatele | DO-5 |
| Provozní teplota - spojení | -65°C ~ 190°C |
Stav skladu: Odeslání ve stejný den
Minimální: 1
| Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
|---|---|---|
Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
||
Kalkulace přepravného
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť
Přidáno do košíku!
Tato položka byla přidána do vašeho košíku.