Vishay / Siliconix / SIF912EDZ-T1-E3
Obrázek je orientační, kontaktujte nás, abychom získali skutečný obrázek
SIF912EDZ-T1-E3
| Číslo dílu výrobce: | SIF912EDZ-T1-E3 |
| Výrobce: | Vishay / Siliconix |
| Část popisu: | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK |
| Datové listy: | SIF912EDZ-T1-E3 Datové listy |
| Stav bez olova / stav RoHS: | Bezolovnatý / V souladu s RoHS |
| Stav skladu: | Na skladě |
| Odesílat od: | Hong Kong |
| Způsob přepravy: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- POZNÁMKA
- Vishay / Siliconix SIF912EDZ-T1-E3 je k dispozici na chipnets.com. Prodáváme pouze nové a originální díly a nabízíme 1letou záruční dobu. Pokud se chcete o produktech dozvědět více nebo uplatnit lepší cenu, kontaktujte nás kliknutím na Online chat nebo nám zašlete cenovou nabídku.
Všechny komponenty Eelctronics budou velmi bezpečně zabaleny díky antistatické ochraně proti ESD.
Specifikace
| Typ | Popis |
|---|---|
| Série | TrenchFET® |
| Balík | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stav součásti | Obsolete |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Funkce FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Proud - nepřetržitý odtok (Id) při 25 ° C | 7.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Vstupní kapacita (Ciss) (max.) @ Vds | - |
| Výkon - max | 1.6W |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Balení / pouzdro | PowerPAK® 2x5 |
| Balíček zařízení dodavatele | PowerPAK® (2x5) |
Stav skladu: Odeslání ve stejný den
Minimální: 1
| Množství | Jednotková cena | Ext. Cena |
|---|---|---|
Cena není k dispozici, prosím o RFQ |
||
Kalkulace přepravného
40 USD od společnosti FedEx.
Příjezd za 3-5 dní
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Doprava zdarma na prvních 0,5 kg pro objednávky nad 150 $, nadváha bude účtována zvlášť
Populární modely
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
Přidáno do košíku!
Tato položka byla přidána do vašeho košíku.